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Jun Chen
Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · École Nationale Supérieure d'Ingénieurs de Caen · Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives · Normandie Université · Centre de Recherche sur les Ions, les Matériaux et la Photonique · Université de Caen Normandie
- 14Publications (affiliation française)
- 82Publications au total
- 721Citations
- 15Indice h
Profil de recherche
Jun Chen compte 14 publications référencées (2006–2025). Ses travaux paraissent principalement dans « Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering », « Computational Condensed Matter » et « Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics ». Son article le plus cité, « The atomic and electronic structure of dislocations in Ga-based nitride semiconductors » (2006), a été cité 26 fois. 2 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 7 chercheurs, notamment dans des établissements de Inde, Algérie, Tunisie.
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- GaN-based semiconductor devices and materials
- Semiconductor materials and interfaces
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Fiber-reinforced polymer composites
- Carbon Nanotubes in Composites
Publications (14)
- m-Line Frank–Shockley Partial Dislocations in Wurtzite GaN: Atomistic Calculations and High Resolution Electron Microscopy Imaging
- Strain induced phase transitions and hysteresis in aluminium nitride: a density functional theory study
- First-principles investigation of a -line Shockley partial dislocations in wurtzite GaN: core reconstruction and electronic structure
- Interactions of amine functional group with Stone-Wales defects on single-walled carbon nanotubes: A theoretical study
- Core properties and the role of screw dislocations in the bulk n-type conductivity in InN
- First-principles calculations of threading screw dislocations in AlN and InN
- Structural and electronic properties of a-edge dislocations along ⟨1-100⟩ in GaN
- Strain and elastic constants of GaN and InN
- Core properties and mobility of the basal screw dislocation in wurtzite GaN: a density functional theory study
- Energetics and core structure of the undissociated basal screw dislocation in wurtzite GaN
- Ab initio study of chemical bond interactions between covalently functionalized carbon nanotubes via amide, ester and anhydride linkages
- Electronic structure of threading dislocations in wurtzite GaN
- The 60° basal dislocation in wurtzite GaN: Energetics, electronic and core structures
- The atomic and electronic structure of dislocations in Ga-based nitride semiconductors
Revues de publication
- Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering × 2
- Computational Condensed Matter × 2
- Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics × 2
- ACS Applied Electronic Materials × 1
- Journal of Physics Condensed Matter × 1
- Physical Chemistry Chemical Physics × 1
Publications par année
- 20251
- 20241
- 20222
- 20191
- 20182
- 20171
- 20163
- 20151
- 20131
- 20061
Collaborations
Établissements partenaires : Institut Pprime · Université de Poitiers · Central Institute of Medicinal and Aromatic Plants · University of Béjaïa · Centre de Recherche en Microelectronique et Nanotechnologie
Pays des co-auteurs : Inde · Algérie · Tunisie
Co-auteurs
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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