Accueil › Annuaire des chercheurs › L. Semra
L. Semra
Affiliation : University Frères Mentouri Constantine 1
- 10Publications (affiliation algérienne)
- 10Publications au total
- 58Citations
- 4Indice h
Profil de recherche
L. Semra compte 10 publications référencées (2010–2024). Ses travaux paraissent principalement dans « Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures », « Micro and Nanostructures » et « Phase Transitions ». Son article le plus cité, « Trap characterization in AlGaN/GaN HEMT by analyzing frequency dispersion in capacitance and conductance » (2010), a été cité 25 fois. 2 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 10 chercheurs.
C’est vous ? Faites connaître vos travaux
Créez gratuitement votre profil DzCademia et ajoutez vos articles : ils apparaîtront plus facilement sur Google et dans les assistants d’IA comme ChatGPT. Plus de personnes pourront vous lire et vous citer.
Créer mon profil gratuit Ajouter mes publicationsDomaines de recherche
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Semiconductor materials and interfaces
- ZnO doping and properties
Publications (10)
- Experimental and ab-initio analysis of structural, electronic and optical properties of ZMCO thin films elaborated by sol-gel method for optoelectronic application
- Experimental and theoretical study on structural and electronic properties of Zn1-xMgxO from (x=0 to 0.375) in wurtzite phase
- Structural and electronic properties of wurtzite, zincblende and rocksalt Al1 − xInxN ternary alloys at ambient and high pressure
- STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF AL1-XINXN IN WURTZITE AND ZINCBLENDE PHASES: A COMPARATIVE TIGHT BINDING AND DFT STUDY.
- Development and implementation of an e-course and a remote laboratory for analog electronics study
- Strain relaxation and thermal effects on the drain conductance in AlGaN/GaN HEMT
- Effects of spontaneous and piezoelectric polarization on AlInN/GaN heterostructure
- The thermal effect on the output conductance in AlGaN/GaN HEMT's
- Effect of strain relaxation on the drain conductance in AlGaN/GaN HEMTs
- Trap characterization in AlGaN/GaN HEMT by analyzing frequency dispersion in capacitance and conductance
Revues de publication
- Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures × 1
- Micro and Nanostructures × 1
- Phase Transitions × 1
- Revue Sciences Humaines (Université des Frères Mentouri Constantine 1) × 1
- International Conference on Interactive Mobile Communication, Technologies and Learning × 1
- Saudi International Electronics, Communications and Photonics Conference × 1
Publications par année
- 20241
- 20221
- 20181
- 20171
- 20141
- 20131
- 20123
- 20101
Collaborations
Établissements partenaires : University of Abou Bekr Belkaïd
Co-auteurs
- A. Telia
- Aissa Bellakhdar
- Amel Meziani
- R. Soudous
- Meziani Abdelhakim
- Nasri Nasri
- M. Kaddeche
- Tarik Ouahrani
- F.Z. Aouacheria
- Farida Hobar
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
Pourquoi choisir Dzcademia ?
Pour donner à vos travaux plus de chances d’être découverts et recommandés par les IA. Profils, articles et communications : donnez à votre recherche une présence publique structurée. Les métadonnées intégrées aident les moteurs de recherche et les assistants IA à identifier vos travaux et à comprendre leurs références.
Commenter avec Google
Connecte-toi avec Google pour commenter directement sur cette page.