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M. Kaddeche
Affiliation : University Frères Mentouri Constantine 1
- 4Publications (affiliation algérienne)
- 4Publications au total
- 48Citations
- 4Indice h
Profil de recherche
M. Kaddeche compte 4 publications référencées (2009–2013). Ses travaux paraissent principalement dans « Journal of Computational Electronics », « International Conference on Microelectronics (ICM) » et « International Conference on Signals, Circuits and Systems ». Son article le plus cité, « Analytical modeling and analysis of Al m Ga1−m N/GaN HEMTs employing both field-plate and high-k dielectric stack for high-voltage operation » (2013), a été cité 16 fois. 2 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 2 chercheurs.
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- GaN-based semiconductor devices and materials
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Acoustic Wave Resonator Technologies
- Semiconductor materials and interfaces
Publications (4)
- Analytical modeling and analysis of Al m Ga1−m N/GaN HEMTs employing both field-plate and high-k dielectric stack for high-voltage operation
- Effects of spontaneous and piezoelectric polarization on AlInN/GaN heterostructure
- Study of field plate effects onAlGaN/GaN HEMTs
- Modeling of AlGaN/GaN HEMTs using field-plate technology
Revues de publication
- Journal of Computational Electronics × 1
- International Conference on Microelectronics (ICM) × 1
- International Conference on Signals, Circuits and Systems × 1
Publications par année
- 20131
- 20121
- 20092
Co-auteurs
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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