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M. Bouhouche

Affiliation : Larbi Ben M'hidi University of Oum El Bouaghi

  • 6Publications (affiliation algérienne)
  • 13Publications au total
  • 9Citations
  • 2Indice h

Profil de recherche

M. Bouhouche compte 6 publications référencées (2009–2026). Ses travaux paraissent principalement dans « Fluctuation and Noise Letters », « Microelectronics Reliability » et « HAL ». Son article le plus cité, « Effects of X-ray and Cobalt 60 irradiations on advanced Si/SiGe:C HBTs DC characteristics » (2023), a été cité 2 fois. 3 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 3 chercheurs, notamment dans des établissements de France.

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Domaines de recherche

  • Radiation Effects in Electronics
  • Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
  • Particle Detector Development and Performance
  • Semiconductor materials and devices
  • Silicon Carbide Semiconductor Technologies

Publications (6)

Revues de publication

  • Fluctuation and Noise Letters × 1
  • Microelectronics Reliability × 1
  • HAL × 1
  • European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems × 1
  • Journal of Semiconductors × 1
  • International Conference on Computer and Electrical Engineering × 1

Publications par année

  • 20262
  • 20251
  • 20231
  • 20131
  • 20091

Collaborations

Établissements partenaires : Institut d'Électronique et des Systèmes · Centre National de la Recherche Scientifique · Université de Montpellier · STMicroelectronics (France) · University Frères Mentouri Constantine 1

Pays des co-auteurs : France

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).

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