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Y. Monteil
Affiliation : Lyon 1 Université · Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
- 25Publications (affiliation française)
- 274Publications au total
- 2100Citations
- 24Indice h
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- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Semiconductor materials and interfaces
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Advanced ceramic materials synthesis
Publications (25)
- Growth temperature effects on boron incorporation and optical properties of BGaAs/GaAs grown by MOCVD
- ChemInform Abstract: Structural Phase Transition, Elastic Properties and Electronic Properties of Chalcopyrite CuAlX2 (X: S, Se, Te)
- Optical properties of BxInyGa1-x-yAs/GaAs grown by Metal Organic Chemical Vapor deposition for solar cell
- Structural phase transition, elastic properties and electronic properties of chalcopyrite CuAlX2 (X=S, Se, Te)
- Structural and optical study of BxInyGa1−x−yAs/GaAs and InyGa1−yAs/GaAs QW's grown by MOCVD
- Clustering effects in optical properties of BGaAs/GaAs epilayers
- Investigation by EELS and TRIM simulation method of the interaction of Ar+ and N+ ions with the InP compound
- AES, LEED and PYS investigation of Au deposits on InSe/Si(111) substrate
- AES, EELS and TRIM investigation of InSb and InP compounds subjected to Ar+ ions bombardment
- Study by EELS and EPES of the stability of InPO4/InP system
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- Optical study of BxGa1−xAs/GaAs epilayers
- Comparative optical study of GaAs1−xNx/GaAs and BxGa1−xAs/GaAs epilayers
- Optical investigation of GaAs1−xNx/GaAs heterostructure properties
- Surface rate-limiting steps and modelling of the nitrogen growth kinetics of GaAs1−xNx/GaAs
- Radiative N-localized recombination and confinement in GaAsN/GaAs epilayers and quantum well structures
- Optical study of direct interface in InP/InAlAs/InP double heterostructures grown by MOCVD
- Alloy broadening effect on optical properties of InGaAs grown by MOCVD with TMAs precursor
- The effect of heating on InGaAs/InP(1 0 0) and InPO4/InP(1 0 0)
- Optical properties of InP/InAlAs/InP grown by MOCVD on (100) substrates: influence of V/III molar ratio
- Excitons localization effects in GaAsN/GaAs epilayers grown by MOCVD
- Optical study of inverted interface in InP/InAlAs/InP structures grown by MOCVD
- Initial stages of InP/GaP (100) and (111)A,B grown by metal organic chemical vapor deposition
- A comparative study of heterostructures InP/GaAs (001) and InP/GaAs (111) grown by metalorganic chemical vapor deposition
- Effects of the electron beam on InP(100)
Co-auteurs
- Hervé Dumont
- Laurent Auvray
- Véronique Soulière
- C. Jardin
- Philippe Rodriguez
- M’hamed Bouslama
- J. Dazord
- F. Hassen
- E. Bustarret
- H. Mâaref
- J. Davenas
- F. Saidi
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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