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D. Madi
Affiliation : University of Bouira
- 16Publications (affiliation algérienne)
- 22Publications au total
- 121Citations
- 8Indice h
Profil de recherche
D. Madi compte 16 publications référencées (2009–2026). Ses travaux paraissent principalement dans « Applied Physics A », « Journal of Ovonic Research » et « Springer proceedings in energy ». Son article le plus cité, « Mechanism for phosphorus deactivation in silicon-based Schottky diodes submitted to MW-ECR hydrogen plasma » (2018), a été cité 16 fois. 3 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de France.
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- Silicon and Solar Cell Technologies
- Semiconductor materials and interfaces
- Semiconductor materials and devices
- Thin-Film Transistor Technologies
- Plasma Applications and Diagnostics
Publications (16)
- Controlling defect passivation in polycrystalline silicon through hydrogen–dopant interactions during MW-ECR plasma treatment
- Phosphorus deactivation mechanisms by hydrogenation in the n+ emitter region and its effect on defects passivation in n+pp+ poly-silicon solar cells
- Understanding the Phosphorus Deactivation in n+ Emitter Region and Its Effect on Defect Passivation in Hydrogenated n+pp+ Poly-Silicon Solar Cells
- Defects passivation and H-diffusion controlled by emitter region in polysilicon solar cells submitted to hydrogen plasma
- Hydrogen Diffusion Study via Phosphorus Deactivation in n-Type Silicon
- Tuning of passivation efficiency of defects in emitter region of polysilicon solar cells using hydrogen plasma
- A Discussion About Hydrogen Diffusion in n+pp+ Polysilicon Solar Cells Following Analysis of Both Dopant Deactivation and Defects Passivation
- Hydrogen Diffusion Mechanism in Polysilicon Solar Cells Deduced from Analysis of Dopant Deactivation and Open-Circuit Voltage Evolution
- Mechanism for phosphorus deactivation in silicon-based Schottky diodes submitted to MW-ECR hydrogen plasma
- Effective phosphorus deactivation in schottky diodes hydrogenated in MW-ECR plasma reactor
- Role of MW-ECR hydrogen plasma on dopant deactivation and open-circuit voltage in crystalline silicon solar cells
- MOS structures quality under annealing influence
- Thermal oxidation effect on structural and optical properties of heavily doped phosphorus polycrystalline silicon films
- Effect of MW-ECR plasma hydrogenation on polysilicon films based solar cells
- Effective hydrogenation and surface damage induced by MW-ECR plasma of fine-grained polycrystalline silicon
- Electrical properties after thermal oxidation, of B-LPCVD polysilicon films
Revues de publication
- Applied Physics A × 4
- Journal of Ovonic Research × 2
- Springer proceedings in energy × 2
- Materials Science and Engineering B × 1
- Lecture notes in networks and systems × 1
- Indian Journal of Physics × 1
Publications par année
- 20261
- 20242
- 20233
- 20211
- 20201
- 20181
- 20161
- 20141
- 20131
- 20111
Collaborations
Établissements partenaires : Research Center in Industrial Technologies · University of Jijel · University Ferhat Abbas of Setif · Centre National de la Recherche Scientifique · University of Béjaïa
Pays des co-auteurs : France
Co-auteurs
- Djamel Eddine Belfennache
- Boubekeur Birouk
- R. Ouldamer
- Radhia Yekhlef
- M. Samah
- N. Brihi
- S. Mahdid
- K. Bouferrache
- M.A. Ghebouli
- M. Fatmi
- Soumia Zaiou
- Y. Benkrima
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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