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Timothée Pingault

Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique

2Publications (affiliation française)
9Publications au total
12Citations
2Indice h

Profil de recherche

Timothée Pingault compte 2 publications référencées (2016–2018). Ses travaux paraissent principalement dans « Surface Topography Metrology and Properties » et « Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics ». Son article le plus cité, « (111)Si thin layers detachment by stress-induced spallation » (2018), a été cité 2 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 5 chercheurs, notamment dans des établissements de Maroc.

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Domaines de recherche

Silicon and Solar Cell Technologies
Semiconductor materials and devices
Thin-Film Transistor Technologies
Ion-surface interactions and analysis
Gold and Silver Nanoparticles Synthesis and Applications

Publications (2)

(111)Si thin layers detachment by stress-induced spallation
2018 · Surface Topography Metrology and Properties · cité 2 fois
A novel kerf‐free wafering process combining stress‐induced spalling and low energy hydrogen implantation
2016 · Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics · cité 1 fois

Revues de publication

Surface Topography Metrology and Properties × 1
Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics × 1

Publications par année

20181
20161

Collaborations

Établissements partenaires : Université d'Orléans · Mohammed V University

Pays des co-auteurs : Maroc

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).