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Thomas Huault

Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications

  • 4Publications (affiliation française)
  • 18Publications au total
  • 329Citations
  • 11Indice h

Profil de recherche

Thomas Huault compte 4 publications référencées (2008–2012). Ses travaux paraissent principalement dans « Applied Physics Letters », « Journal of Applied Physics » et « Springer eBooks ». Son article le plus cité, « Effects of capping on GaN quantum dots deposited on Al0.5Ga0.5N by molecular beam epitaxy » (2009), a été cité 31 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 5 chercheurs, notamment dans des établissements de Maroc.

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Domaines de recherche

  • GaN-based semiconductor devices and materials
  • Semiconductor Quantum Structures and Devices
  • Acoustic Wave Resonator Technologies
  • Silicon Carbide Semiconductor Technologies
  • Luminescence Properties of Advanced Materials

Publications (4)

Revues de publication

  • Applied Physics Letters × 2
  • Journal of Applied Physics × 1
  • Springer eBooks × 1

Publications par année

  • 20121
  • 20092
  • 20081

Collaborations

Établissements partenaires : Centre National pour la Recherche Scientifique et Technique (CNRST) · Université Nice Sophia Antipolis · Université Joseph Fourier · Institut Nanosciences et Cryogénie · Fédération des Sciences Chimiques de Marseille

Pays des co-auteurs : Maroc

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).

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