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Thomas Huault
Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications
- 4Publications (affiliation française)
- 18Publications au total
- 329Citations
- 11Indice h
Profil de recherche
Thomas Huault compte 4 publications référencées (2008–2012). Ses travaux paraissent principalement dans « Applied Physics Letters », « Journal of Applied Physics » et « Springer eBooks ». Son article le plus cité, « Effects of capping on GaN quantum dots deposited on Al0.5Ga0.5N by molecular beam epitaxy » (2009), a été cité 31 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 5 chercheurs, notamment dans des établissements de Maroc.
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- GaN-based semiconductor devices and materials
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Acoustic Wave Resonator Technologies
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Luminescence Properties of Advanced Materials
Publications (4)
- Mechanism of GaN quantum dot overgrowth by Al0.5Ga0.5N: Strain evolution and phase separation
- Effects of capping on GaN quantum dots deposited on Al0.5Ga0.5N by molecular beam epitaxy
- Phase separation in GaN/AlGaN quantum dots
- Structural and morphological characterization of GaN/AlGaN quantum dots by transmission electron microscopy
Revues de publication
- Applied Physics Letters × 2
- Journal of Applied Physics × 1
- Springer eBooks × 1
Publications par année
- 20121
- 20092
- 20081
Collaborations
Établissements partenaires : Centre National pour la Recherche Scientifique et Technique (CNRST) · Université Nice Sophia Antipolis · Université Joseph Fourier · Institut Nanosciences et Cryogénie · Fédération des Sciences Chimiques de Marseille
Pays des co-auteurs : Maroc
Co-auteurs
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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