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B. Eblé

Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Institut des NanoSciences de Paris

2Publications (affiliation française)
48Publications au total
1131Citations
17Indice h

Profil de recherche

B. Eblé compte 2 publications référencées (2011–2014). Ses travaux paraissent principalement dans « Semiconductor Science and Technology » et « Physical Review B ». Son article le plus cité, « Effects of strain on the optoelectronic properties of annealed InGaAs/GaAs self-assembled quantum dots » (2014), a été cité 31 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 4 chercheurs.

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Domaines de recherche

Semiconductor Quantum Structures and Devices
Quantum and electron transport phenomena
Diamond and Carbon-based Materials Research
Quantum Dots Synthesis And Properties
Strong Light-Matter Interactions

Publications (2)

Effects of strain on the optoelectronic properties of annealed InGaAs/GaAs self-assembled quantum dots
2014 · Semiconductor Science and Technology · cité 31 fois
Optical orientation of bright excitons in InAs/GaAs quantum dots: Influence of a Faraday magnetic field and the dark exciton states
2011 · Physical Review B · cité 8 fois

Revues de publication

Semiconductor Science and Technology × 1
Physical Review B × 1

Publications par année

20141
20111

Collaborations

Établissements partenaires : Université Pierre-et-Marie-Curie

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).