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Madani Labed
Affiliation : University of Biskra
- 16Publications (affiliation algérienne)
- 68Publications au total
- 865Citations
- 17Indice h
Profil de recherche
Madani Labed compte 16 publications référencées (2020–2025). Ses travaux paraissent principalement dans « Nanomaterials », « Semiconductor Science and Technology » et « Optical Materials ». Son article le plus cité, « Modeling a Ni/β-Ga 2 O 3 Schottky barrier diode deposited by confined magnetic-field-based sputtering » (2020), a été cité 41 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de Corée du Sud.
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- Ga2O3 and related materials
- Semiconductor materials and interfaces
- Semiconductor materials and devices
- 2D Materials and Applications
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Publications (16)
- Impact of defects on the electrical characteristics of an IGZO phototransistors: simulation and analysis
- Interface engineering of p-type quaternary metal oxide semiconductor interlayer-embedded β-Ga2O3 Schottky barrier diode
- Interface engineering of β-Ga2O3 MOS-type Schottky barrier diode using an ultrathin HfO2 interlayer
- Physical Operations of a Self-Powered IZTO/β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode Photodetector
- Control of Ni/β-Ga2O3 Vertical Schottky Diode Output Parameters at Forward Bias by Insertion of a Graphene Layer
- Study of a Solar-Blind Photodetector Based on an IZTO/β-Ga2O3/ITO Schottky Diode
- Schottky contact diameter effect on the electrical properties and interface states of Ti/Au/p-AlGaAs/GaAs/Au/Ni/Au Be-doped p-type MBE Schottky diodes
- Investigation of Deep Defects and Their Effects on the Properties of NiO/Β- Ga2O3 Heterojuncion Diodes
- Low Temperature Modeling of Ni/β-Ga 2 O 3 Schottky Barrier Diode Interface
- Modeling and analyzing temperature-dependent parameters of Ni/ β -Ga 2 O 3 Schottky barrier diode deposited by confined magnetic field-based sputtering
- Study on the improvement of the open-circuit voltage of NiOx/Si heterojunction solar cell
- Study and optimization of Cu2O/AZO hetero-junction solar cell with different buffer layers
- Enhancement of silicon solar cell performance by introducing selected defects in the SiO2 passivation layer
- Study and optimization of InGaN Schottky solar cell performance
- Modeling a Ni/β-Ga 2 O 3 Schottky barrier diode deposited by confined magnetic-field-based sputtering
- Leakage Current Modelling and Optimization of β - Ga 2 O 3 Schottky Barrier Diode with Ni Contact under High Reverse Voltage
Revues de publication
- Nanomaterials × 2
- Semiconductor Science and Technology × 2
- Optical Materials × 2
- Optik × 2
- Journal of Optics × 1
- Materials Today Physics × 1
Publications par année
- 20251
- 20227
- 20216
- 20202
Collaborations
Établissements partenaires : Sejong University
Pays des co-auteurs : Corée du Sud
Co-auteurs
- Nouredine Sengouga
- Afak Meftah
- Amjad Meftah
- Mohamed Labed
- R. Boumaaraf
- Toufik Tibermacine
- Naceur Khadidja
- Fateh Mehiri
- A. Djemaa
- Rima Cherroun
- Issam Lakhdari
- Amina Benslim
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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