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Damien Risaletto

Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique

2Publications (affiliation française)
27Publications au total
134Citations
7Indice h

Profil de recherche

Damien Risaletto compte 2 publications référencées (2006–2007). Ses travaux paraissent principalement dans « European Conference on Power Electronics and Applications » et « Superlattices and Microstructures ». Son article le plus cité, « A novel design approach for the epitaxial layer for 4H-SiC and 6H-SiC power bipolar devices » (2006), a été cité 10 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 6 chercheurs, notamment dans des établissements de Tunisie.

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Domaines de recherche

Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Advanced DC-DC Converters
Multilevel Inverters and Converters
Electromagnetic Compatibility and Noise Suppression
Electric Power Systems and Control

Publications (2)

Electrical characterization of 5kV SiC bipolar diodes in switching transient regime
2007 · European Conference on Power Electronics and Applications · cité 4 fois
A novel design approach for the epitaxial layer for 4H-SiC and 6H-SiC power bipolar devices
2006 · Superlattices and Microstructures · cité 10 fois

Revues de publication

European Conference on Power Electronics and Applications × 1
Superlattices and Microstructures × 1

Publications par année

20071
20061

Collaborations

Établissements partenaires : Institut National des Sciences Appliquées de Lyon · University of Monastir

Pays des co-auteurs : Tunisie

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).