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M. Handami

Affiliation : Tissemsilt University

• 1Publications (affiliation algérienne)
• 1Publications au total
• 11Citations
• 1Indice h

OpenAlex

Profil de recherche

M. Handami compte 1 publication référencée (2023). Ses travaux paraissent dans « Revista Mexicana de Física ». Son article le plus cité, « Improved electrical characteristics of AlxGa1−xN/GaN High Electron Mobility Transistor by effect of physical and geometrical parameters » (2023), a été cité 11 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 3 chercheurs.

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Domaines de recherche

• GaN-based semiconductor devices and materials
• Silicon Carbide Semiconductor Technologies
• Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design

Publications (1)

• Improved electrical characteristics of AlxGa1−xN/GaN High Electron Mobility Transistor by effect of physical and geometrical parameters
  2023 · Revista Mexicana de Física · cité 11 fois

Collaborations

Établissements partenaires : Amar Telidji University of Laghouat · Ziane Achour University of Djelfa

Co-auteurs

• Abdelaziz Rabehi
• Abdelmalek Douara
• Oussama Baitiche

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).