الرئيسية › دليل الباحثين › Riad Remmouche
Riad Remmouche
الانتماء : University of Jijel
- 16منشورات (انتماء جزائري)
- 18مجموع المنشورات
- 54الاستشهادات
- 5مؤشر h
الملف البحثي
لدى Riad Remmouche 16 منشور(ات) مفهرسة (1998–2026). تُنشر أعماله أساسًا في «Acta Physica Polonica A»، «Materials Science» و«Silicon». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Formation of silicon nanocrystals by thermal annealing of low-pressure chemical-vapor deposited amorphous SiNx (x=0.16) thin films» (2013)، وقد استُشهد به 11 مرة. 3 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Silicon Nanostructures and Photoluminescence
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Thin-Film Transistor Technologies
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Graphene research and applications
المنشورات (16)
- Study of Structural, Electrical and Optical Characteristics of Boron Implanted Silicon Nanocrystals Embedded in SiNx Matrix
- Predictive Control of Surface Roughness as a Function of Temperature in a SiNx Thin Film Deposition Process Using the Kinetic Monte Carlo Method
- Investigation of Electrical Behavior in Back Gated Graphene FET
- Evolution of the Raman spectra features of defective monolayer graphene in back-gate configuration: Experimental study
- Modeling and Control of SiNx Film Growth using the Kinetic Monte Carlo Method: Impact of Gas Flow Rate on Surface Roughness and Film Thickness
- Electrical Characteristics of Single Layer Graphene Ribbons in a Wide Temperature Range
- CORRELATION BETWEEN ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF DOPED SILICON NANOCRYSTALS
- Modelling the Quantum Capacitance of Single-layer and Bilayer Graphene
- Experimental study of n-type porous silicon obtained under illumination
- Analytical Threshold Voltage Model Considering Quantum Size Effects for Nanocrystalline Silicon Thin Film Transistors
- Theoretical determination of the impact of channel morphology and quantum size effects on the surface potential of nanocrystalline silicon thin film transistors
- Formation of silicon nanocrystals by thermal annealing of low-pressure chemical-vapor deposited amorphous SiNx (x=0.16) thin films
- Study of Silicon Nanocrystals Formation in Annealed Amorphous In Situ Nitrogen Doped Silicon Thin Films Obtained by Low Pressure Chemical Vapor Deposition
- Passivity-based control of the new hyperchaotic system
- Compact Modeling for Submicron Fully Depleted SOI MOSFET's
- A static model for the SOI TMOS in strong inversion
مجلات النشر
- Acta Physica Polonica A × 4
- Materials Science × 3
- Silicon × 2
- Materials Science in Semiconductor Processing × 2
- Diamond and Related Materials × 1
- Materiali in tehnologije × 1
المنشورات حسب السنة
- 20261
- 20252
- 20235
- 20181
- 20171
- 20141
- 20131
- 20123
- 19981
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : Centre de Développement des Technologies Avancées · University Frères Mentouri Constantine 1 · University Ferhat Abbas of Setif
المؤلفون المشاركون
- Hachemi Bouridah
- Mahmoud Riad Beghoul
- Rachid Fates
- Hakim Haoues
- Toufik BENKEDIDAH
- Adil Bouhadiche
- Farida Mansour
- Soulef Benghorieb
- Noureddine Boutaoui
- Yousra AMMOUR
- Nidal Beltas
- S. Benzeghda
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.