الرئيسية › دليل الباحثين › L. Bideux

L. Bideux

الانتماء : Institut Pascal

• 21منشورات (انتماء فرنسي)
• 121مجموع المنشورات
• 1324الاستشهادات
• 17مؤشر h

ORCIDOpenAlex

الملف البحثي

لدى L. Bideux 21 منشور(ات) مفهرسة (1997–2018). تُنشر أعماله أساسًا في «Applied Surface Science»، «Materials Science and Engineering C» و«Vacuum». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Characterization of interface states at Au/InSb/InP(100) Schottky barrier diodes as a function of frequency» (2000)، وقد استُشهد به 133 مرة. 2 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في تونس، الجزائر.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

• Semiconductor materials and interfaces
• Electron and X-Ray Spectroscopy Techniques
• Semiconductor materials and devices
• Ion-surface interactions and analysis
• GaN-based semiconductor devices and materials

المنشورات (21)

• Simulation and Experimental Studies of Illumination Effects on the Current Transport of Nitridated GaAs Schottky Diode
  2018 · Semiconductors · استُشهد به 17 مرة
• Synthesis and Study of Stable and Size-Controlled ZnO–SiO2 Quantum Dots: Application as a Humidity Sensor
  2016 · The Journal of Physical Chemistry C · استُشهد به 65 مرة
• Effects of the GaN layers and the annealing on the electrical properties in the Schottky diodes based on nitrated GaAs
  2015 · Superlattices and Microstructures · استُشهد به 25 مرة
• First stages of surface steel nitriding: X-ray photoelectron spectroscopy and electrical measurements
  2009 · Applied Surface Science · استُشهد به 1 مرة
• Growth study of thin indium nitride layers on InP (100) by Auger electron spectroscopy and photoluminescence
  2009 · Journal of Crystal Growth
• Morphology and optical properties of p-type porous GaAs(100) layers made by electrochemical etching
  2008 · Journal of Luminescence · استُشهد به 8 مرة
• Study of porous III–V semiconductors by electron spectroscopies (AES and XPS) and optical spectroscopy (PL): Effect of ionic bombardment and nitridation process
  2007 · Surface Science · استُشهد به 4 مرة
• Nitridation of InP(100) substrates studied by XPS spectroscopy and electrical analysis
  2006 · Materials Science and Engineering A · استُشهد به 14 مرة
• XPS, electric and photoluminescence-based analysis of the GaAs (100) nitridation
  2005 · Applied Surface Science · استُشهد به 11 مرة
• Auger electronic spectroscopy and electrical characterisation of InP(100) surfaces passivated by N2 plasma
  2004 · Applied Surface Science · استُشهد به 5 مرة
• Analysis and simulation of Au/InSb/InP diode C–V characteristic: modeling and experiments
  2002 · Materials Science and Engineering C · استُشهد به 31 مرة
• Electrical parameters evolution of Au/InP(100) and Au/InSb/InP(100) systems with restructuring conditions
  2002 · Materials Science and Engineering C · استُشهد به 16 مرة
• Study and characterization of the structures Au/Al2O3/Si and Au/Al0/Al2O3/Si
  2002 · Vacuum · استُشهد به 6 مرة
• Characterization of interface states at Au/InSb/InP(100) Schottky barrier diodes as a function of frequency
  2000 · Vacuum · استُشهد به 133 مرة
• Effect of InSb layer on the interfacial and electrical properties in the structures based on InP
  2000 · Materials Science and Engineering B · استُشهد به 7 مرة
• Electrical characterization of the Au/InP(100) and Au/InSb/InP(100) structures
  1999 · Microelectronics Journal · استُشهد به 27 مرة
• Electrical study of the Au/InSb/InP system
  1999 · Semiconductor Science and Technology · استُشهد به 7 مرة
• Characterization of the M.S structure by the surface photoelectrical voltage method
  1999 · Microelectronics Journal · استُشهد به 1 مرة
• Modelization and characterization of Au/InSb/InP Schottky systems as a function of temperature
  1998 · Materials Science and Engineering B · استُشهد به 79 مرة
• Passivation of III-V compounds used for metal-insulator-InP(100) structures
  1998 · Surface and Interface Analysis · استُشهد به 5 مرة
• Electrical characterization of alumina layers deposited by evaporation cell on Si and restructured InP substrates
  1997 · Synthetic Metals · استُشهد به 6 مرة

مجلات النشر

• Applied Surface Science × 3
• Materials Science and Engineering C × 2
• Vacuum × 2
• Materials Science and Engineering B × 2
• Microelectronics Journal × 2
• Semiconductors × 1

المنشورات حسب السنة

• 20181
• 20161
• 20151
• 20092
• 20081
• 20071
• 20061
• 20051
• 20041
• 20023

التعاون العلمي

المؤسسات الشريكة : Université Blaise Pascal · Centre National de la Recherche Scientifique · Université Clermont Auvergne · Sigma Clermont · Aix-Marseille Université

بلدان المؤلفين المشاركين : تونس · الجزائر

المؤلفون المشاركون

• B. Gruzza
• Christine Robert‐Goumet
• Guillaume Monier
• Boudali Akkal
• Sana Ben Khalifa
• Georges E. Bremond
• Matthieu Petit
• Christelle Varenne
• Damien Chaudanson
• S. Merle
• Mohamed Aymen Mahjoub
• François Réveret

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).