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L. Bideux
Affiliation : Institut Pascal
- 21Publications (affiliation française)
- 121Publications au total
- 1324Citations
- 17Indice h
Profil de recherche
L. Bideux compte 21 publications référencées (1997–2018). Ses travaux paraissent principalement dans « Applied Surface Science », « Materials Science and Engineering C » et « Vacuum ». Son article le plus cité, « Characterization of interface states at Au/InSb/InP(100) Schottky barrier diodes as a function of frequency » (2000), a été cité 133 fois. 2 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de Tunisie, Algérie.
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- Semiconductor materials and interfaces
- Electron and X-Ray Spectroscopy Techniques
- Semiconductor materials and devices
- Ion-surface interactions and analysis
- GaN-based semiconductor devices and materials
Publications (21)
- Simulation and Experimental Studies of Illumination Effects on the Current Transport of Nitridated GaAs Schottky Diode
- Synthesis and Study of Stable and Size-Controlled ZnO–SiO2 Quantum Dots: Application as a Humidity Sensor
- Effects of the GaN layers and the annealing on the electrical properties in the Schottky diodes based on nitrated GaAs
- First stages of surface steel nitriding: X-ray photoelectron spectroscopy and electrical measurements
- Growth study of thin indium nitride layers on InP (100) by Auger electron spectroscopy and photoluminescence
- Morphology and optical properties of p-type porous GaAs(100) layers made by electrochemical etching
- Study of porous III–V semiconductors by electron spectroscopies (AES and XPS) and optical spectroscopy (PL): Effect of ionic bombardment and nitridation process
- Nitridation of InP(100) substrates studied by XPS spectroscopy and electrical analysis
- XPS, electric and photoluminescence-based analysis of the GaAs (100) nitridation
- Auger electronic spectroscopy and electrical characterisation of InP(100) surfaces passivated by N2 plasma
- Analysis and simulation of Au/InSb/InP diode C–V characteristic: modeling and experiments
- Electrical parameters evolution of Au/InP(100) and Au/InSb/InP(100) systems with restructuring conditions
- Study and characterization of the structures Au/Al2O3/Si and Au/Al0/Al2O3/Si
- Characterization of interface states at Au/InSb/InP(100) Schottky barrier diodes as a function of frequency
- Effect of InSb layer on the interfacial and electrical properties in the structures based on InP
- Electrical characterization of the Au/InP(100) and Au/InSb/InP(100) structures
- Electrical study of the Au/InSb/InP system
- Characterization of the M.S structure by the surface photoelectrical voltage method
- Modelization and characterization of Au/InSb/InP Schottky systems as a function of temperature
- Passivation of III-V compounds used for metal-insulator-InP(100) structures
- Electrical characterization of alumina layers deposited by evaporation cell on Si and restructured InP substrates
Revues de publication
- Applied Surface Science × 3
- Materials Science and Engineering C × 2
- Vacuum × 2
- Materials Science and Engineering B × 2
- Microelectronics Journal × 2
- Semiconductors × 1
Publications par année
- 20181
- 20161
- 20151
- 20092
- 20081
- 20071
- 20061
- 20051
- 20041
- 20023
Collaborations
Établissements partenaires : Université Blaise Pascal · Centre National de la Recherche Scientifique · Université Clermont Auvergne · Sigma Clermont · Aix-Marseille Université
Pays des co-auteurs : Tunisie · Algérie
Co-auteurs
- B. Gruzza
- Christine Robert‐Goumet
- Guillaume Monier
- Boudali Akkal
- Sana Ben Khalifa
- Georges E. Bremond
- Matthieu Petit
- Christelle Varenne
- Damien Chaudanson
- S. Merle
- Mohamed Aymen Mahjoub
- François Réveret
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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