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Denis Morris

Affiliation : Université de Sherbrooke

• 11Publications (affiliation canadienne)
• 169Publications au total
• 2438Citations
• 23Indice h

ORCIDOpenAlex

Profil de recherche

Denis Morris compte 11 publications référencées (2006–2020). Ses travaux paraissent principalement dans « Journal of Applied Physics », « Nanotechnology » et « Nanomaterials ». Son article le plus cité, « Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing » (2006), a été cité 23 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 5 chercheurs, notamment dans des établissements de France, Tunisie.

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Domaines de recherche

• Semiconductor Quantum Structures and Devices
• Terahertz technology and applications
• Quantum Dots Synthesis And Properties
• Quantum and electron transport phenomena
• solar cell performance optimization

Publications (11)

• O-Band Emitting InAs Quantum Dots Grown by MOCVD on a 300 mm Ge-Buffered Si (001) Substrate
  2020 · Nanomaterials · cité 7 fois
• Thermally activated inter-dots carriers' transfer in InAs QDs with InGaAs underlying layer: Origin and dependence on the post-growth intermixing
  2015 · Journal of Alloys and Compounds · cité 13 fois
• Carriers' localization and thermal redistribution in post growth voluntarily tuned quantum dashes' size/composition distribution
  2013 · Journal of Luminescence · cité 7 fois
• Temperature Dependent Photoluminescence Properties of InAs/InP Quantum Dashes Subjected to Low Energy Phosphorous Ion Implantation and Subsequent Annealing
  2011 · Journal of Nanoscience and Nanotechnology · cité 5 fois
• Impact of ion-implantation-induced band gap engineering on the temperature-dependent photoluminescence properties of InAs/InP quantum dashes
  2010 · HAL · cité 5 fois
• Persistence of In/Ga intermixing beyond the emission energy blueshift saturation of proton-implanted InAs/GaAs quantum dots
  2010 · Journal of Applied Physics · cité 2 fois
• Impact of ion-implantation-induced band gap engineering on the temperature-dependent photoluminescence properties of InAs/InP quantum dashes
  2010 · Journal of Applied Physics
• Intermixing of InAs/GaAs quantum dots by proton implantation and rapid thermal annealing
  2009 · Materials Science in Semiconductor Processing · cité 6 fois
• Inhomogeneous broadening and alloy intermixing in low proton dose implanted InAs/GaAs self-assembled quantum dots
  2008 · Nanotechnology · cité 4 fois
• Optical investigation of phosphorous-ion-implantation induced InAs/GaAs quantum dots' intermixing
  2008 · Physics Letters A · cité 1 fois
• Post-growth engineering of InAs/GaAs quantum dots’ band-gap using proton implantation and annealing
  2006 · Nanotechnology · cité 23 fois

Revues de publication

• Journal of Applied Physics × 2
• Nanotechnology × 2
• Nanomaterials × 1
• Journal of Alloys and Compounds × 1
• Journal of Luminescence × 1
• Journal of Nanoscience and Nanotechnology × 1

Publications par année

• 20201
• 20151
• 20131
• 20111
• 20103
• 20091
• 20082
• 20061

Collaborations

Établissements partenaires : Centre National de la Recherche Scientifique · Institut interdisciplinaire d'innovation technologique · Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes · Université de Lyon · Institut des Nanotechnologies de Lyon

Pays des co-auteurs : France · Tunisie

Co-auteurs

• Vincent Aimez
• Bassem Salem
• Bouraoui Ilahi
• Bernard Paquette
• Richard Arès

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).