الرئيسية › دليل الباحثين › Rabah Cherfi
Rabah Cherfi
الانتماء : University of Sciences and Technology Houari Boumediene
- 19منشورات (انتماء جزائري)
- 33مجموع المنشورات
- 120الاستشهادات
- 6مؤشر h
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Thin-Film Transistor Technologies
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Semiconductor materials and interfaces
- Organic Electronics and Photovoltaics
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
المنشورات (19)
- High sensing efficiency for low NH3 vapour concentration of thin ZnO/p-Si hetero-junctions
- Physical aging of PC : PS blends: Dynamic mechanical analysis and nuclear magnetic resonance studies
- Study of boron doped amorphous silicon lightly hydrogenated prepared by DC magnetron sputtering for infrared detectors applications
- Numerical simulation and validity of the surface photovoltage method in amorphous silicon with a Schottky contact
- Aluminium-induced crystallization of amorphous silicon films deposited by DC magnetron sputtering on glasses
- Structural and optical properties of a-Si1−xCx:H films synthesized by dc magnetron sputtering technique
- The annealing temperature effect on the electrical properties of boron‐doped hydrogenated amorphous silicon a‐Si:H(B)
- N and P type top‐gate microcrystalline silicon TFTs processed at low temperature (T < 200 °C) on the same glass substrate
- Correlation between Physicochemical and Electrical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Doped with Boron: Effect of Thermal Annealing
- Deposition temperature effects on the characteristics of a‐Si:H deposited by pulsed DC magnetron sputtering
- Effects of trimethylphosphine incorporation on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) properties
- Effects of Hydrogen Partial Pressure on Boron-Doped Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si:H(B)) Properties
- Hydrogenated amorphous silicon deposited by pulsed DC magnetron sputtering. Deposition temperature effect
- Stability of Microcrystalline Silicon TFTs
- Structural, optical and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon germanium (a-Si1−xGex) deposited by DC magnetron sputtering at high rate
- Hydrogen interaction on metal/hydrogenated amorphous silicon Schottky structures: adsorption/desorption effects
- Hydrogenated amorphous silicon deposited by DC magnetron sputtering at high temperature
- Comparison of Deposited Polycrystalline Films and Crystallized Silicon from a-Si:H Films
- Thin Films Hydrogenated Silicon Deposited by Direct Current Magnetron Sputtering at High Rate
المؤلفون المشاركون
- M. Aoucher
- A. Rahal
- Mohamed Kechouane
- H.Y. Seba
- Ghania Farhi
- Abdelkrim Fedala
- A. Benabdelmoumen
- Nabil Khelifati
- Amer Brighet
- L. Chabane
- F. Kezzoula
- Abdlkrim Fedala
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.