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Youcef Kribes
Affiliation : Centre de Développement des Technologies Avancées
- 4Publications (affiliation algérienne)
- 7Publications au total
- 84Citations
- 5Indice h
Profil de recherche
Youcef Kribes compte 4 publications référencées (2008–2015). Ses travaux paraissent principalement dans « Solid-State Electronics », « Japanese Journal of Applied Physics » et « IEEE Transactions on Device and Materials Reliability ». Son article le plus cité, « On the permanent component profiling of the negative bias temperature instability in p-MOSFET devices » (2015), a été cité 13 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 7 chercheurs.
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- Semiconductor materials and devices
- Semiconductor materials and interfaces
- Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Publications (4)
- On the permanent component profiling of the negative bias temperature instability in p-MOSFET devices
- A New Method for Negative Bias Temperature Instability Assessment in P-Channel Metal Oxide Semiconductor Transistors
- Geometric Component in Constant-Amplitude Charge-Pumping Characteristics of LOCOS- and LDD-MOSFET Devices
- A new method of oxide charges densities determination using charge-pumping technique in MOS structures
Revues de publication
- Solid-State Electronics × 1
- Japanese Journal of Applied Physics × 1
- IEEE Transactions on Device and Materials Reliability × 1
- International Conference on Microelectronics × 1
Publications par année
- 20151
- 20121
- 20101
- 20081
Collaborations
Établissements partenaires : University of Boumerdes
Co-auteurs
- Boualem Djezzar
- Hakim Tahi
- Abdelmadjid Benabdelmoumene
- Amel Chenouf
- Hamid Bentarzi
- Abdelkader Zitouni
- Mohamed Goudjil
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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