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C. Bilel
Affiliation : Jouf University
- 21Publications (affiliation tunisienne)
- 24Publications au total
- 207Citations
- 9Indice h
Profil de recherche
C. Bilel compte 21 publications référencées (2014–2022). Ses travaux paraissent principalement dans « Thin Solid Films », « Solid State Communications » et « Optik ». Son article le plus cité, « Structural and optical investigations on sprayed Co doped La2O3 thin films along with photocatalytic and anti-bacterial applications » (2021), a été cité 26 fois. 6 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 8 chercheurs, notamment dans des établissements de Arabie saoudite.
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- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- GaN-based semiconductor devices and materials
- solar cell performance optimization
- TiO2 Photocatalysis and Solar Cells
- Advanced Photocatalysis Techniques
Publications (21)
- Atomistic mechanism effects on the growth of GaAsBi and GaAs nanowires
- Structural and optical investigations on sprayed Co doped La2O3 thin films along with photocatalytic and anti-bacterial applications
- Synthesis and physical characterization of Ni-doped La2O3 for photocatytic application under sunlight
- Growth and investigation of LaNiO3/La2O3 composites films for optoelectronic applications
- Modeling of the Growth Mechanisms of GaAsBi and GaAs Nanowires
- Physical investigations on annealed structure Cu/La2O3 for photocatalytic application under sunlight
- Electron Mobility Calculation of Diluted III–V-Nitrides Alloys
- Formation of Fe nanowires on Cu(1 0 0) vicinal surfaces
- Study of Stark Effect in n-doped 1.55 μm InN0.92yP1−1.92yBiy/InP MQWs
- Discontinuities and bands alignments of strain-balanced III-V-N/III-V-Bi heterojunctions for mid-infrared photodetectors
- Theoretical study of the carrier effective mass in diluted III-N-V semiconductor alloys by using 10-band k.p model
- Optical gain spectra of 1.55 μm GaAs/GaN.58yAs1-1.58yBiy/GaAs single quantum well
- Effects of p-type doping and electric field on electronic band structure and optical properties of GaNAsBi/GaAs quantum well detectors operating at 1.55 μm
- Carriers confinement study of GaNAsBi/GaAs QWs emitting at 1.3 and 1.55 μm
- Theoretical calculations of absorption spectra of GaNAsBi-based MQWs operating at 1.55 μm
- n doping effect modeling in 1.3 μm GaN0.58As1−1.58Bi /GaAs quantum wells
- Investigation of the doping and Stark effects on the band structure and optical absorption of 1.55 μm GaNAsBi/GaAs MQWs
- Photoreflectance analysis of annealed vanadium-doped GaAs thin films grown by metalorganic vapor phase epitaxy
- Self-consistent analysis of the band structure of doped lattice-matched GaNAsBi-based QWs operating at 1.55μm
- Photoreflectance characterization of vanadium-doped GaAs layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
- Stark effect in GaNAsBi/GaAs quantum wells operating at 1.55 μm
Revues de publication
- Thin Solid Films × 3
- Solid State Communications × 2
- Optik × 2
- Journal of Materials Science Materials in Electronics × 2
- Journal of Electronic Materials × 2
- Semiconductors × 2
Publications par année
- 20221
- 20214
- 20201
- 20192
- 20181
- 20164
- 20155
- 20143
Collaborations
Établissements partenaires : University of Monastir · Qassim University
Pays des co-auteurs : Arabie saoudite
Co-auteurs
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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