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Jad Mohdad

Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique

  • 1Publications (affiliation française)
  • 10Publications au total
  • 30Citations
  • 4Indice h

Profil de recherche

Jad Mohdad compte 1 publication référencée (2016). Ses travaux paraissent dans « physica status solidi (a) ». Son article le plus cité, « Influence of metal-organic vapor phase epitaxy parameters and Si(111) substrate type on the properties of AlGaN/GaN HEMTs with thin simple b » (2016), a été cité 9 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 7 chercheurs, notamment dans des établissements de Tunisie.

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Domaines de recherche

  • Analog and Mixed-Signal Circuit Design
  • Magnetic properties of thin films
  • Low-power high-performance VLSI design
  • Advanced Memory and Neural Computing
  • GaN-based semiconductor devices and materials

Publications (1)

Collaborations

Établissements partenaires : Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications · University of Monastir · Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie

Pays des co-auteurs : Tunisie

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).

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