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V. Donchev

Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Université Pierre-et-Marie-Curie

1Publications (affiliation française)
105Publications au total
721Citations
13Indice h

Profil de recherche

V. Donchev compte 1 publication référencée (2002). Ses travaux paraissent dans « Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment ». Son article le plus cité, « Characterization of thick epitaxial GaAs layers for X-ray detection » (2002), a été cité 18 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 6 chercheurs, notamment dans des établissements de Tunisie.

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Domaines de recherche

Semiconductor Quantum Structures and Devices
Semiconductor materials and interfaces
solar cell performance optimization
Silicon and Solar Cell Technologies
Advanced Semiconductor Detectors and Materials

Publications (1)

Characterization of thick epitaxial GaAs layers for X-ray detection
2002 · Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment · cité 18 fois

Collaborations

Établissements partenaires : University of Sarajevo · University of Gabès

Pays des co-auteurs : Tunisie

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).