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J. C. Bourgoin
Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Université Pierre-et-Marie-Curie
- 32Publications (affiliation française)
- 384Publications au total
- 8477Citations
- 42Indice h
Profil de recherche
J. C. Bourgoin compte 32 publications référencées (1989–2006). Ses travaux paraissent principalement dans « Applied Physics Letters », « Semiconductor Science and Technology » et « Journal of Applied Physics ». Son article le plus cité, « Irradiation-induced degradation in solar cell: characterization of recombination centres » (2002), a été cité 85 fois. 3 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de Tunisie, Bulgarie.
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- Semiconductor materials and interfaces
- Semiconductor materials and devices
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- solar cell performance optimization
Publications (32)
- Mobility-lifetime product in epitaxial GaAs X-ray detectors
- Prediction of proton-induced degradation of GaAs space solar cells
- Modelization of epitaxial GaAs X-ray detectors
- A study of deep levels in vanadium-doped GaAs grown by OMVPE
- Irradiation-induced degradation in solar cell: characterization of recombination centres
- Characterization of thick epitaxial GaAs layers for X-ray detection
- Antisite incorporation during epitaxial growth of GaAs
- Electron conduction in low temperature grown GaAs
- The behavior of As precipitates in low-temperature-grown GaAs
- Defect-Enhanced Electron Transport through Semiconductor Barriers
- Optical and electrical characterization of low temperature grown GaInAs
- Poole–Frenkel effect assisted emission from deep donor level in chromium doped GaP
- The DX Center in GaAsP Alloys
- Free-electron transport in semi-insulating GaAs
- Electron transport in low temperature grown GaAs
- Growth and characterization of thick epitaxial GaAs layers
- Characterization of closed space vapor transport GaP epitaxial layers
- Deep-level analysis of n-type GaAs1−xPx alloys
- Intrinsic and extrinsic radiative recombination processes in quantum wells
- Defects in electron-irradiated GaAlAs alloys
- Electrical conduction in low temperature grown InP
- Electrical conduction in low temperature grown InP
- Electrical conduction in low temperature grown InP
- Minority carrier capture cross section of the EL2 defect in GaAs
- The DX center in Si-planar-doped AlxGa1−xAs (x=0.32)
- Hole-capture cross section ofDXcenters in Ga1−x Alx As
- Evidence of native gallium antisite defects in semi-insulating liquid-encapsulated Czochralski-grown GaAs
- Photoluminescence studies of planar-doped AlxGa1-xAs
- Luminescence of the D X center in AlGaAs
- Poole-Frenkel-assisted emission from deep levels in electron-irradiated germanium
- Correlation of the 0.8 eV Emission Band with the EL6 Center in GaAs
- Electric Field Enhancement of Electron Emission from DX Centers and Consequences
Revues de publication
- Applied Physics Letters × 6
- Semiconductor Science and Technology × 5
- Journal of Applied Physics × 4
- Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment × 2
- Solar Energy Materials and Solar Cells × 2
- physica status solidi (b) × 2
Publications par année
- 20061
- 20052
- 20031
- 20023
- 19991
- 19985
- 19973
- 19961
- 19952
- 19934
Collaborations
Établissements partenaires : University of Monastir · Technicolor (France) · Université Paris Diderot · École Normale Supérieure - PSL · Tunis University
Pays des co-auteurs : Tunisie · Bulgarie
Co-auteurs
- G.C. Sun
- Julien Nagle
- Mimoun Zazoui
- Max Stellmacher
- Hans Jürgen von Bardeleben
- Mohamed Gandouzi
- N.X Nghia
- Bernard Pajot
- C. Grattepain
- J. Barrau
- Renato Bisaro
- D. Stiévenard
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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