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A. Bouhdada
Affiliation : University of Hassan II Casablanca
- 27Publications (affiliation marocaine)
- 30Publications au total
- 197Citations
- 8Indice h
Profil de recherche
A. Bouhdada compte 27 publications référencées (1995–2011). Ses travaux paraissent principalement dans « Microelectronics Journal », « Journal of Applied Physics » et « Active and Passive Electronic Components ». Son article le plus cité, « Impact of the defects on the electrical and optical properties of AlGaN ultraviolet photodetectors » (2002), a été cité 44 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs.
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- Semiconductor materials and devices
- Semiconductor materials and interfaces
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Metallic Glasses and Amorphous Alloys
- Magnetic Properties and Applications
Publications (27)
- Magnetization studies in amorphous Co80-x Gdx B20
- Electrical and optical proprieties of photodiodes based on ZnSe material
- Modeling of the spectral response of PIN photodetectors Impact of exposed zone thickness, surface recombination velocity and trap concentration
- Influence of the defects on the I-V characteristics for LDD-nMOSFETs
- Impact of the defects on the electrical and optical properties of AlGaN ultraviolet photodetectors
- Relation between the leakage currents and defects in oxide and interface Si/SiO/sub 2/ in MOS devices
- The n-type metal oxide semiconductor field-effect transistor bias impact on the modelling of the gate-induced drain leakage current
- Modeling of the I–V Characteristics for LDD‐nMOSFETs in Relation with Defects Induced by Hot‐Carrier Injection
- Modeling of gate-induced drain leakage current in n-type metal–oxide–semiconductor field effect transistor
- Modeling of the threshold voltage variation for a stressed submicronic MOSFET
- Magnetic study in amorphous Fe67Y33 alloy
- Impact of the Stress on the Sub‐Micron N‐Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Characteristics
- Magnetic coupling in amorphous Fe80−xGdxB20 alloys
- Modeling of the spectral response of AlxGa1−xN Schottky ultraviolet photodetectors
- Modeling of the spectral response of AlxGa1−xN p-n junction photodetectors
- Modeling of Interface Defect Distribution for an n‐MOSFETs Under Hot‐Carrier Stressing
- Modeling of Surface Potential and Threshold Voltage of LDD nMOSFET′s with Localized Defects
- Modelling of the surface potential evolution for a stressed submicronic MOSFET
- Effect of defects localised in the oxide of submicrometer NMOS transistor on substrate and drain currents
- Influence of Gd on the Magnetic Properties of Amorphous (Fe1—xGdx)80B20
- Magnetic properties and exchange interactions in TGdB amorphous alloys (T=FE, Co)
- New model of gate-induced drain current density in an NMOS transistor
- Modelling of gate-induced drain leakage in relation to technological parameters and temperature
- Two new temperature compensated current sources
- Relation between the leakage currents and the defects created in the oxide and at the interface in a short channel NMOS transistor
- Interface states effect and influence of the topological and technological parameters on the transfer inefficiency in the surface charge-coupled device (SCCD)
- MOS capacitor holding time and diffusion length at DRAM refresh test temperature
Revues de publication
- Microelectronics Journal × 5
- Journal of Applied Physics × 4
- Active and Passive Electronic Components × 4
- Microelectronics Reliability × 3
- PRSM × 1
- Applied Physics Letters × 1
Publications par année
- 20111
- 20033
- 20024
- 20014
- 20006
- 19993
- 19981
- 19973
- 19961
- 19951
Collaborations
Établissements partenaires : Université Hassan II Mohammedia · Sidi Mohamed Ben Abdellah University
Co-auteurs
- R. Marrakh
- Abdelkader Touhami
- A. Hassini
- M. Hanzaz
- Soumia Bakkali
- A. Nouaçry
- Hassan Lassri
- I. Mansouri
- R. Krishnan
- B Chaker
- M. Hamdoun
- B. Alaoui
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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