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Nicolas Baboux

Affiliation : Institut des Nanotechnologies de Lyon · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon

3Publications (affiliation française)
162Publications au total
781Citations
16Indice h

Profil de recherche

Nicolas Baboux compte 3 publications référencées (2007–2008). Ses travaux paraissent principalement dans « Microelectronics Journal » et « International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS) ». Son article le plus cité, « Electrical characteristics and modelling of multi-island single-electron transistor using SIMON simulator » (2008), a été cité 12 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 2 chercheurs.

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Domaines de recherche

Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
Semiconductor materials and devices
Ferroelectric and Piezoelectric Materials
Phase-change materials and chalcogenides
Advanced Memory and Neural Computing

Publications (3)

Electrical characteristics and modelling of multi-island single-electron transistor using SIMON simulator
2008 · Microelectronics Journal · cité 12 fois
A SPICE Model for Single Electron Transistor Applications at Low Temperatures: Inverter and Ring Oscillator
2008 · International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS) · cité 3 fois
A new SIMPLORER model for single-electron transistors
2007 · Microelectronics Journal · cité 6 fois

Revues de publication

Microelectronics Journal × 2
International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era (DTIS) × 1

Publications par année

20082
20071

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).