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Jason Thomas Ryan

Affiliation : National Institute of Standards and Technology

• 1Publications (affiliation américaine)
• 112Publications au total
• 1116Citations
• 18Indice h

ORCIDOpenAlex

Profil de recherche

Jason Thomas Ryan compte 1 publication référencée (2016). Ses travaux paraissent dans « IEEE Transactions on Electron Devices ». Son article le plus cité, « Modeling Early Breakdown Failures of Gate Oxide in SiC Power MOSFETs » (2016), a été cité 94 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 5 chercheurs.

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Domaines de recherche

• Semiconductor materials and devices
• Semiconductor materials and interfaces
• Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
• Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
• Quantum and electron transport phenomena

Publications (1)

• Modeling Early Breakdown Failures of Gate Oxide in SiC Power MOSFETs
  2016 · IEEE Transactions on Electron Devices · cité 94 fois

Collaborations

Établissements partenaires : GlobalFoundries (United States) · George Mason University

Co-auteurs

• D.E. Ioannou
• Jason Paul Campbell
• Zakariae Chbili
• Kin P. Cheung
• Jaafar Chbili

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).