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A. Boudissa

Affiliation : University Frères Mentouri Constantine 1

• 9Publications (affiliation algérienne)
• 10Publications au total
• 104Citations
• 3Indice h

OpenAlex

Profil de recherche

A. Boudissa compte 9 publications référencées (1997–2025). Ses travaux paraissent principalement dans « Materials Science and Engineering B », « Microelectronics Journal » et « Engineering Technology & Applied Science Research ». Son article le plus cité, « Modelization and characterization of Au/InSb/InP Schottky systems as a function of temperature » (1998), a été cité 79 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs.

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Domaines de recherche

• Semiconductor materials and devices
• Semiconductor materials and interfaces
• Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
• Metamaterials and Metasurfaces Applications
• Photonic and Optical Devices

Publications (9)

• Design and Analysis of a 2D Photonic Crystal-Based WDM Demultiplexer Using Cavity and Quasi-Waveguide Bend Coupling
  2025 · Engineering Technology & Applied Science Research · cité 3 fois
• Simulation effects of lateral coupling between L3 cavity and two quasi waveguides bends in 2D Photonic Crystal Bandpass Filter
  2012 · cité 1 fois
• Two-dimensional simulation of the effects of grain boundaries on theC–Vcharacteristics of P+N polysilicon diodes
  2005 · Journal of Physics D Applied Physics · cité 4 fois
• Study and improvement of interfacial properties in a MIS structure based on p-type InP
  2003 · Vacuum · cité 10 fois
• Numerical analysis of forward I–V characteristics of Au/InP interface restructured by antimony
  2001 · Materials Science and Engineering B · cité 1 fois
• C(V) characterization of metal/polysilicon/oxide/monosilicon structure
  1999 · Microelectronics Journal · cité 2 fois
• Characterization of the M.S structure by the surface photoelectrical voltage method
  1999 · Microelectronics Journal · cité 1 fois
• Modelization and characterization of Au/InSb/InP Schottky systems as a function of temperature
  1998 · Materials Science and Engineering B · cité 79 fois
• A MOS structure temperature characterization
  1997 · Materials Science and Engineering B · cité 2 fois

Revues de publication

• Materials Science and Engineering B × 3
• Microelectronics Journal × 2
• Engineering Technology & Applied Science Research × 1
• Journal of Physics D Applied Physics × 1
• Vacuum × 1

Publications par année

• 20251
• 20121
• 20051
• 20031
• 20011
• 19992
• 19981
• 19971

Collaborations

Établissements partenaires : Université Djilali de Sidi Bel Abbès

Co-auteurs

• Z. Benamara
• Boudali Akkal
• Baya Zebentout
• Hafida Sehil
• Malek Benslama
• Rafah Naoum
• R. Menezla
• H. Dib
• A. Talbi
• N. Bachir Bouiadjra
• A. Bouzidi
• Schahrazade Tizi

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).