الرئيسية › دليل الباحثين › D. Mathiot

D. Mathiot

الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique

• 2منشورات (انتماء فرنسي)
• 207مجموع المنشورات
• 2905الاستشهادات
• 31مؤشر h

ORCIDOpenAlex

الملف البحثي

لدى D. Mathiot 2 منشور(ات) مفهرسة (1996–1997). تُنشر أعماله أساسًا في «Applied Physics Letters» و«Ion Beam Modification of Materials». أكثر مقالاته استشهادًا هو «The effect of the boron doping level on the thermal behavior of end-of-range defects in silicon» (1997)، وقد استُشهد به 33 مرة. شارك في تأليف أعماله 5 باحثًا على الأقل.

هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك

أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.

إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتي

مجالات البحث

• Semiconductor materials and devices
• Semiconductor materials and interfaces
• Silicon and Solar Cell Technologies
• Ion-surface interactions and analysis
• Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design

المنشورات (2)

• The effect of the boron doping level on the thermal behavior of end-of-range defects in silicon
  1997 · Applied Physics Letters · استُشهد به 33 مرة
• The effect of boron doping on the thermal behaviour of EOR defects in Silicon
  1996 · Ion Beam Modification of Materials

مجلات النشر

• Applied Physics Letters × 1
• Ion Beam Modification of Materials × 1

المنشورات حسب السنة

• 19971
• 19961

التعاون العلمي

المؤسسات الشريكة : Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes · Centre d’Élaboration de Matériaux et d’Études Structurales

المؤلفون المشاركون

• A. Martínez
• Daniel Alquier
• A. Claverie
• Caroline Bonafos
• Christian Bergaud

البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).