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D. Mathiot

Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique

• 2Publications (affiliation française)
• 207Publications au total
• 2905Citations
• 31Indice h

ORCIDOpenAlex

Profil de recherche

D. Mathiot compte 2 publications référencées (1996–1997). Ses travaux paraissent principalement dans « Applied Physics Letters » et « Ion Beam Modification of Materials ». Son article le plus cité, « The effect of the boron doping level on the thermal behavior of end-of-range defects in silicon » (1997), a été cité 33 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 5 chercheurs.

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Domaines de recherche

• Semiconductor materials and devices
• Semiconductor materials and interfaces
• Silicon and Solar Cell Technologies
• Ion-surface interactions and analysis
• Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design

Publications (2)

• The effect of the boron doping level on the thermal behavior of end-of-range defects in silicon
  1997 · Applied Physics Letters · cité 33 fois
• The effect of boron doping on the thermal behaviour of EOR defects in Silicon
  1996 · Ion Beam Modification of Materials

Revues de publication

• Applied Physics Letters × 1
• Ion Beam Modification of Materials × 1

Publications par année

• 19971
• 19961

Collaborations

Établissements partenaires : Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes · Centre d’Élaboration de Matériaux et d’Études Structurales

Co-auteurs

• A. Martínez
• Daniel Alquier
• A. Claverie
• Caroline Bonafos
• Christian Bergaud

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).