الرئيسية › دليل الباحثين › A. Hoffmann
A. Hoffmann
الانتماء : Centre National de la Recherche Scientifique · Université de Montpellier · Institut d'Électronique et des Systèmes
- 10منشورات (انتماء فرنسي)
- 105مجموع المنشورات
- 1008الاستشهادات
- 15مؤشر h
الملف البحثي
لدى A. Hoffmann 10 منشور(ات) مفهرسة (2000–2026). تُنشر أعماله أساسًا في «Solid-State Electronics»، «Fluctuation and Noise Letters» و«Microelectronics Reliability». أكثر مقالاته استشهادًا هو «A new method for evaluating illuminated solar cell parameters» (2001)، وقد استُشهد به 168 مرة. 3 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في الجزائر.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Semiconductor materials and devices
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Radiation Effects in Electronics
- Particle Detector Development and Performance
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
المنشورات (10)
- X-Ray Impact on Generation-Recombination Low-Frequency Noise Components for Advanced Si/SiGe:C HBTs
- Study of electrical and X-ray induced degradation in 55-nm BiCMOS SiGe heterojunction bipolar transistors
- Study of Electrical and X-ray induced degradation in BiCMOS 55-nm SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors
- Effects of X-ray and Cobalt 60 irradiations on advanced Si/SiGe:C HBTs DC characteristics
- Analysis of electroluminescence spectra of silicon and gallium arsenide p–n junctions in avalanche breakdown
- Extraction of Schottky diode parameters including parallel conductance using a vertical optimization method
- Simulation of gallium arsenide electroluminescence spectra in avalanche breakdown using self-absorption and recombination models
- Effects of adding an SiO/sub 2/ film to the rear metal/semiconductor interface on the performance of a conventional solar cell based on n/sup +/p silicon
- A new method for evaluating illuminated solar cell parameters
- La Jonction du Solaire à la Microélectronique
مجلات النشر
- Solid-State Electronics × 2
- Fluctuation and Noise Letters × 1
- Microelectronics Reliability × 1
- HAL × 1
- European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems × 1
- Journal of Applied Physics × 1
المنشورات حسب السنة
- 20262
- 20251
- 20231
- 20041
- 20023
- 20011
- 20001
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : STMicroelectronics (France) · Université Paul Verlaine - Metz · Supélec · Larbi Ben M'hidi University of Oum El Bouaghi · Laboratoire Matériaux, Optique, Photonique et Systèmes
بلدان المؤلفين المشاركين : الجزائر
المؤلفون المشاركون
- F. Pascal
- Jean‐Pierre Charles
- Daniel Gloria
- B. Sagnes
- J. Boch
- Pascal Chevalier
- Tadec Maraine
- A. Adebabay Belie
- M. Bouhouche
- S. Haendler
- Olivier Occello
- A. Bath
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.