الرئيسية › دليل الباحثين › Pierre Temple‐Boyer
Pierre Temple‐Boyer
الانتماء : Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes · Centre National de la Recherche Scientifique
- 29منشورات (انتماء فرنسي)
- 212مجموع المنشورات
- 2699الاستشهادات
- 27مؤشر h
الملف البحثي
لدى Pierre Temple‐Boyer 29 منشور(ات) مفهرسة (1997–2025). تُنشر أعماله أساسًا في «Lecture notes in electrical engineering»، «Materials Science in Semiconductor Processing» و«International Conference on Microelectronics (ICM)». أكثر مقالاته استشهادًا هو «Boron Diffusion and Activation during Heat Treatment in Heavily Doped Polysilicon Thin Films for P+ Metal-Oxide-Semiconductor Transistors Ga» (2001)، وقد استُشهد به 24 مرة. 3 من هذه المنشورات تعود إلى آخر ثلاث سنوات من النشاط. شارك في تأليف أعماله 12 باحثًا على الأقل، منهم باحثون من مؤسسات في اليابان.
هل هذا أنت؟ عرّف بأبحاثك
أنشئ ملفك على DzCademia مجانًا وأضف مقالاتك: ستظهر بسهولة أكبر على Google وفي مساعدي الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT، فيقرؤها ويستشهد بها عدد أكبر من الناس.
إنشاء ملفي المجاني إضافة منشوراتيمجالات البحث
- Analytical Chemistry and Sensors
- Electrochemical sensors and biosensors
- Semiconductor materials and devices
- Electrochemical Analysis and Applications
- Semiconductor materials and interfaces
المنشورات (29)
- Genetic Algorithm-Based Parameter Extraction for Optimized Modeling of SiNW-MOSFET Transistor and SiNW-ISFET Sensor
- Machine Learning-Based Modeling of pH-Sensitive Silicon Nanowire (SiNW) for Ion Sensitive Field Effect Transistor (ISFET)
- SiNW-ISFET Sensor Modeling Using the k-Nearest Neighbor Machine Learning
- Study of Parameters Influencing on the Performance of SiNW ISFET Sensor
- Modelling and performance evaluation of Si-NW ISFETmicrosensor
- Simulation and Performance Study of Silicon Nanowire (Si-NW) Field-Effect Transistor (FET) pH Microsensor
- Experimental Study Of The Boron Redistribution In Two Series Of Bilayer Films Silicon-Based
- Finite-Element Simulations of the pH-ElecFET Microsensors
- Investigation on optical and physico-chemical properties of LPCVD SiOxNythin films
- Formation of silicon nanocrystals by thermal annealing of low-pressure chemical-vapor deposited amorphous SiNx (x=0.16) thin films
- Study of Silicon Nanocrystals Formation in Annealed Amorphous In Situ Nitrogen Doped Silicon Thin Films Obtained by Low Pressure Chemical Vapor Deposition
- Study of Nitrogen Effect on the Boron Diffusion during Heat Treatment in Polycrystalline Silicon/Nitrogen-Doped Silicon Thin Films
- Influence of the annealing condition on the BN bonds intensity detected by FTIR characterization
- Study of grains size distribution and electrical activity of heavily boron doped polysilicon thin films
- Experimental study of the boron redistribution in bilayer films silicon-based by SIMS technique
- Nitrogen doped silicon films heavily boron implanted for MOS structures: Simulation and characterization
- Properties of non‐stoichiometric nitrogen doped LPCVD silicon thin films
- Physicochemical Characterization of Annealed PolySi/NIDOS/SiO2 Structures
- Modeling of the pH-ISFET thermal drift
- Boron diffusion and activation in polysilicon multilayer films for P+ MOS structure: Characterization and modeling
- Effect of thermal annealing and nitrogen content on amorphous silicon thin‐film crystallization
- Behavioral Modeling of The pH-ISFET Temperature Influence
- Effect of Nitrogen on Boron doped Polysilicon Thin Films Properties
- Study of electrical and structural properties of boron doped polysilicon films with a low nitrogen content
- Effect of nitrogen on the diffusion and the activation of the boron implanted in polysilicon thin layers
- Study of nitrogen doped silicon films used for p+ polysilicon gates
- A Monte Carlo simulation study of boron profiles as-implanted into LPCVD–NiDoS polycrystalline thin films
- Boron Diffusion and Activation during Heat Treatment in Heavily Doped Polysilicon Thin Films for P+ Metal-Oxide-Semiconductor Transistors Gates
- Electrical characteristics of thin silica layers nitrided by LPCVD nitrogen doped silicon
مجلات النشر
- Lecture notes in electrical engineering × 4
- Materials Science in Semiconductor Processing × 3
- International Conference on Microelectronics (ICM) × 3
- Japanese Journal of Applied Physics × 2
- International Conference on Electrical and Electronics Engineering × 2
- Sensors × 1
المنشورات حسب السنة
- 20251
- 20241
- 20231
- 20211
- 20202
- 20191
- 20161
- 20141
- 20131
- 20121
التعاون العلمي
المؤسسات الشريكة : Université de Toulouse · Université Toulouse III - Paul Sabatier · Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon · Laboratory for Integrated Micro-Mechatronic Systems
بلدان المؤلفين المشاركين : اليابان
المؤلفون المشاركون
- Jérôme Launay
- E. Scheid
- Ahmet Lale
- Laurent Jalabert
- I. Humenyuk
- E. Bedel‐Pereira
- F. Olivié
- A. Martínez
- Jérôme Bosche
- Abdou Karim Diallo
- F. Scheid
- Jonathan Boucher
البيانات البيبليوغرافية مصدرها OpenAlex (قاعدة مفتوحة).
لماذا تختارون Dzcademia؟
ملفات أكاديمية ومقالات ومداخلات علمية: امنحوا أبحاثكم حضوراً عاماً منظماً. تساعد البيانات الوصفية المدمجة محركات البحث ومساعدات الذكاء الاصطناعي على التعرف على أعمالكم وفهم مراجعها.
علّق عبر Google
سجّل الدخول عبر Google للتعليق مباشرة على هذه الصفحة.