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Pierre Temple‐Boyer
Affiliation : Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes · Centre National de la Recherche Scientifique
- 29Publications (affiliation française)
- 212Publications au total
- 2699Citations
- 27Indice h
Profil de recherche
Pierre Temple‐Boyer compte 29 publications référencées (1997–2025). Ses travaux paraissent principalement dans « Lecture notes in electrical engineering », « Materials Science in Semiconductor Processing » et « International Conference on Microelectronics (ICM) ». Son article le plus cité, « Boron Diffusion and Activation during Heat Treatment in Heavily Doped Polysilicon Thin Films for P+ Metal-Oxide-Semiconductor Transistors Ga » (2001), a été cité 24 fois. 3 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de Japon.
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- Analytical Chemistry and Sensors
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- Electrochemical Analysis and Applications
- Semiconductor materials and interfaces
Publications (29)
- Genetic Algorithm-Based Parameter Extraction for Optimized Modeling of SiNW-MOSFET Transistor and SiNW-ISFET Sensor
- Machine Learning-Based Modeling of pH-Sensitive Silicon Nanowire (SiNW) for Ion Sensitive Field Effect Transistor (ISFET)
- SiNW-ISFET Sensor Modeling Using the k-Nearest Neighbor Machine Learning
- Study of Parameters Influencing on the Performance of SiNW ISFET Sensor
- Modelling and performance evaluation of Si-NW ISFETmicrosensor
- Simulation and Performance Study of Silicon Nanowire (Si-NW) Field-Effect Transistor (FET) pH Microsensor
- Experimental Study Of The Boron Redistribution In Two Series Of Bilayer Films Silicon-Based
- Finite-Element Simulations of the pH-ElecFET Microsensors
- Investigation on optical and physico-chemical properties of LPCVD SiOxNythin films
- Formation of silicon nanocrystals by thermal annealing of low-pressure chemical-vapor deposited amorphous SiNx (x=0.16) thin films
- Study of Silicon Nanocrystals Formation in Annealed Amorphous In Situ Nitrogen Doped Silicon Thin Films Obtained by Low Pressure Chemical Vapor Deposition
- Study of Nitrogen Effect on the Boron Diffusion during Heat Treatment in Polycrystalline Silicon/Nitrogen-Doped Silicon Thin Films
- Influence of the annealing condition on the BN bonds intensity detected by FTIR characterization
- Study of grains size distribution and electrical activity of heavily boron doped polysilicon thin films
- Experimental study of the boron redistribution in bilayer films silicon-based by SIMS technique
- Nitrogen doped silicon films heavily boron implanted for MOS structures: Simulation and characterization
- Properties of non‐stoichiometric nitrogen doped LPCVD silicon thin films
- Physicochemical Characterization of Annealed PolySi/NIDOS/SiO2 Structures
- Modeling of the pH-ISFET thermal drift
- Boron diffusion and activation in polysilicon multilayer films for P+ MOS structure: Characterization and modeling
- Effect of thermal annealing and nitrogen content on amorphous silicon thin‐film crystallization
- Behavioral Modeling of The pH-ISFET Temperature Influence
- Effect of Nitrogen on Boron doped Polysilicon Thin Films Properties
- Study of electrical and structural properties of boron doped polysilicon films with a low nitrogen content
- Effect of nitrogen on the diffusion and the activation of the boron implanted in polysilicon thin layers
- Study of nitrogen doped silicon films used for p+ polysilicon gates
- A Monte Carlo simulation study of boron profiles as-implanted into LPCVD–NiDoS polycrystalline thin films
- Boron Diffusion and Activation during Heat Treatment in Heavily Doped Polysilicon Thin Films for P+ Metal-Oxide-Semiconductor Transistors Gates
- Electrical characteristics of thin silica layers nitrided by LPCVD nitrogen doped silicon
Revues de publication
- Lecture notes in electrical engineering × 4
- Materials Science in Semiconductor Processing × 3
- International Conference on Microelectronics (ICM) × 3
- Japanese Journal of Applied Physics × 2
- International Conference on Electrical and Electronics Engineering × 2
- Sensors × 1
Publications par année
- 20251
- 20241
- 20231
- 20211
- 20202
- 20191
- 20161
- 20141
- 20131
- 20121
Collaborations
Établissements partenaires : Université de Toulouse · Université Toulouse III - Paul Sabatier · Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon · Laboratory for Integrated Micro-Mechatronic Systems
Pays des co-auteurs : Japon
Co-auteurs
- Jérôme Launay
- E. Scheid
- Ahmet Lale
- Laurent Jalabert
- I. Humenyuk
- E. Bedel‐Pereira
- F. Olivié
- A. Martínez
- Jérôme Bosche
- Abdou Karim Diallo
- F. Scheid
- Jonathan Boucher
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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