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M. Aoucher
Affiliation : University of Sciences and Technology Houari Boumediene
- 19Publications (affiliation algérienne)
- 24Publications au total
- 117Citations
- 6Indice h
Profil de recherche
M. Aoucher compte 19 publications référencées (1991–2009). Ses travaux paraissent principalement dans « Thin Solid Films », « Journal of Non-Crystalline Solids » et « Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena/Solid state phenomena ». Son article le plus cité, « Hydrogenated amorphous silicon deposited by pulsed DC magnetron sputtering. Deposition temperature effect » (2008), a été cité 19 fois. 3 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs.
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- Silicon and Solar Cell Technologies
- Thin-Film Transistor Technologies
- Semiconductor materials and interfaces
- Semiconductor materials and devices
- Metal and Thin Film Mechanics
Publications (19)
- Correlation between Physicochemical and Electrical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Doped with Boron: Effect of Thermal Annealing
- Deposition temperature effects on the characteristics of a‐Si:H deposited by pulsed DC magnetron sputtering
- Hydrogenated amorphous silicon deposited by pulsed DC magnetron sputtering. Deposition temperature effect
- Structural, optical and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon germanium (a-Si1−xGex) deposited by DC magnetron sputtering at high rate
- Hydrogenated amorphous silicon nitride deposited by DC magnetron sputtering
- Numerical simulation of a low- and a high-electric-field photocurrent decay in a-Si:H
- Study of the solid phase crystallization behavior of amorphous sputtered silicon by X-ray diffraction and electrical measurements
- Hydrogen interaction on metal/hydrogenated amorphous silicon Schottky structures: adsorption/desorption effects
- Hydrogenated amorphous silicon deposited by DC magnetron sputtering at high temperature
- Comparison of Deposited Polycrystalline Films and Crystallized Silicon from a-Si:H Films
- Numerical simulation of low-field thermally stimulated conductivity in a-Si:H
- Thin films of hydrogenated amorphous silicon and polycrystalline silicon; oxygen and hydrogen interaction effects on electrical properties
- Thin Films Hydrogenated Silicon Deposited by Direct Current Magnetron Sputtering at High Rate
- Study of Polysilicon Produced by Solid Phase Crystallization of Hydrogenated Amorphous Silicon Deposited at High Rate
- Crystallization of hydrogenated amorphous silicon deposited at high rate by dc magnetron sputtering
- Acceptor and donor centers introduced by oxygen ionosorption at the a-Si:H film surface
- Oxygen adsorption-desorption effect on the electrical properties of a-Si:H layers
- Electrical conductance variation of a-Si: H films during a temperature programmed desorption
- Electronic Transport Properties of High Deposition Rate a-Si:H Material
Revues de publication
- Thin Solid Films × 3
- Journal of Non-Crystalline Solids × 3
- Diffusion and defect data, solid state data. Part B, Solid state phenomena/Solid state phenomena × 3
- Sensors and Actuators B Chemical × 2
- Materials science forum × 1
- physica status solidi (a) × 1
Publications par année
- 20092
- 20081
- 20063
- 20021
- 20013
- 20001
- 19993
- 19981
- 19961
- 19951
Collaborations
Établissements partenaires : University of Boumerdes
Co-auteurs
- Rabah Cherfi
- Ghania Farhi
- Tayeb Mohammed‐Brahim
- A. Rahal
- K. Laïhem
- A. Benabdelmoumen
- H.Y. Seba
- A. Allag
- Abdelkrim Fedala
- Mohamed Kechouane
- N. Beldi
- Noureddine Ababou
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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