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A. Rahal
Affiliation : University of Sciences and Technology Houari Boumediene
- 17Publications (affiliation algérienne)
- 25Publications au total
- 87Citations
- 6Indice h
Profil de recherche
A. Rahal compte 17 publications référencées (1990–2025). Ses travaux paraissent principalement dans « Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics », « Journal of Non-Crystalline Solids » et « Sensors and Actuators A Physical ». Son article le plus cité, « Study of boron doped amorphous silicon lightly hydrogenated prepared by DC magnetron sputtering for infrared detectors applications » (2020), a été cité 13 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de France.
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- Thin-Film Transistor Technologies
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Semiconductor materials and interfaces
- Organic Electronics and Photovoltaics
- ZnO doping and properties
Publications (17)
- High sensing efficiency for low NH3 vapour concentration of thin ZnO/p-Si hetero-junctions
- Study of boron doped amorphous silicon lightly hydrogenated prepared by DC magnetron sputtering for infrared detectors applications
- Study of morphological and electrical properties of the ZnO/p-Si hetero-junction: Application to sensing efficiency of low concentration of ethanol vapor at room temperature
- Numerical simulation and validity of the surface photovoltage method in amorphous silicon with a Schottky contact
- Temperature effect on hydrogenated amorphous carbon leading to hydrogenated graphene by pulsed laser deposition
- Properties of a‐SiGe:H thin films: correlation between photosensitivity and density of states
- The annealing temperature effect on the electrical properties of boron‐doped hydrogenated amorphous silicon a‐Si:H(B)
- Deposition temperature effects on the characteristics of a‐Si:H deposited by pulsed DC magnetron sputtering
- Effects of trimethylphosphine incorporation on hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) properties
- Effects of Hydrogen Partial Pressure on Boron-Doped Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si:H(B)) Properties
- Study of the stability of polycrystalline silicon by means of the behavior of thin film transistors under gate bias stress
- Density of states in the channel material of low temperature polycrystalline silicon thin film transistors
- State creation induced by gate bias stress in unhydrogenated polysilicon TFTs
- Leakage Current of Unhydrogenated Solid Phase Crystallized Silicon Thin Film Transistors
- Gate bias stress in hydrogenated and unhydrogenated polysilicon thin film transistors
- Electronic Transport Properties of High Deposition Rate a-Si:H Material
- Study of Band Tails in a-SiGe:H Alloys from Time of Flight and Thermally Stimulated Current Experiments
Revues de publication
- Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics × 2
- Journal of Non-Crystalline Solids × 2
- Sensors and Actuators A Physical × 1
- Infrared Physics & Technology × 1
- Materials Science in Semiconductor Processing × 1
- Semiconductor Science and Technology × 1
Publications par année
- 20251
- 20202
- 20181
- 20171
- 20141
- 20101
- 20093
- 20021
- 20001
- 19992
Collaborations
Établissements partenaires : Centre National de la Recherche Scientifique · Université Rennes 1 · Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg · Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique · Université de Rennes
Pays des co-auteurs : France
Co-auteurs
- Rabah Cherfi
- Mohamed Kechouane
- L. Chabane
- Tayeb Mohammed‐Brahim
- H.Y. Seba
- Nabil Khelifati
- Abdelkrim Fedala
- Mohamed Trari
- M. Aoucher
- Lamia Laidoudi
- A. Benabdelmoumen
- M. Abdesselam
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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