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M. Baïra
Affiliation : University of Monastir
- 28Publications (affiliation tunisienne)
- 33Publications au total
- 404Citations
- 13Indice h
Profil de recherche
M. Baïra compte 28 publications référencées (2005–2024). Ses travaux paraissent principalement dans « Journal of Applied Physics », « Superlattices and Microstructures » et « Physica B Condensed Matter ». Son article le plus cité, « Hydrostatic pressure and temperature effects on nonlinear optical rectification in a lens shape InAs/GaAs quantum dot » (2012), a été cité 66 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de France, Arabie saoudite.
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- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Quantum Dots Synthesis And Properties
- Quantum and electron transport phenomena
- Semiconductor materials and interfaces
- GaN-based semiconductor devices and materials
Publications (28)
- Quantitative photothermal investigation of nonradiative recombination parameters in GaAs/InAs(QD)/GaAs quantum dot structures using a three-layer laser beam deflection model
- Schottky barrier inhomogeneity in (Pd / Au) Al0.22 Ga0.78N/GaN/SiC HEMT: Triple Gaussian distributions
- Evidence of Poole-frenkel and Fowler-Nordheim tunneling transport mechanisms in leakage current of (Pd/Au)/Al0.22Ga0.78N/GaN heterostructures
- Correlation between Kink effect and trapping mechanism through H1 hole trap in Al0.22Ga0.78N/GaN/SiC HEMTs by current DLTS: field effect enhancement
- Cryogenic investigation of the negative pinch-off voltage Vpinch-off, leakage current and interface defects in the Al0.22Ga0.78N/GaN/SiC HEMT
- Linear and Nonlinear Intersubband Optical Properties of Direct Band Gap GeSn Quantum Dots
- Investigation of GeSn/Ge quantum dots’ optical transitions for integrated optics on Si substrate
- Intersubband Optical Nonlinearity of GeSn Quantum Dots under Vertical Electric Field
- C-DLTS interface defects in Al0.22Ga0.78N/GaN HEMTs on SiC: Spatial location of E2 traps
- Design of Strain-Engineered GeSn/GeSiSn Quantum Dots for Mid-IR Direct Bandgap Emission on Si Substrate
- Tuning direct bandgap GeSn/Ge quantum dots' interband and intraband useful emission wavelength: Towards CMOS compatible infrared optical devices
- Investigation of the InAs/GaAs Quantum Dots’ Size: Dependence on the Strain Reducing Layer’s Position
- Electronic and transport properties of AlInN/AlN/GaN high electron mobility transistors
- Evolution of InAs/GaAs QDs Size with the Growth Rate: A Numerical Investigation
- Numerical investigation of the postgrowth intermixing effects on the optical properties of InAs/GaAs quantum dots
- Non-radiative recombination process in BGaAs/GaAs alloys: Two layer photothermal deflection model
- Hydrostatic pressure and temperature effects on nonlinear optical rectification in a lens shape InAs/GaAs quantum dot
- Optical investigation of InAs quantum dots inserted in AlGaAs/GaAs modulation doped heterostructure
- Power density and temperature dependent multi-excited states in InAs/GaAs quantum dots
- Temperature dependence of optical properties of InAs/GaAs self-organized quantum dots
- Broken symmetry in laterally coupled InAs/GaAs quantum dots molecule
- Capacitance–voltage analysis of InAs quantum dots grown on InAlAs/InP(0 0 1)
- Deep level transient spectroscopy studies at low temperature of In0.52Al0.48As epilayers
- Toward long wavelength low density InAs/GaAs quantum dots
- Hole emission processes from InAs quantum dots grown on p-type InAlAs/InP(0 0 1)
- Optical characterisation of single InAs quantum dots on GaAs substrate emitting at 1.3 μm
- Effective generation lifetime depth profile in InAs quantum dots grown on InAlAs/InP(0 0 1)
- Capacitance–voltage profile characteristics of Schottky barrier structure with InAs quantum dots grown on InAlAs/InP(001)
Revues de publication
- Journal of Applied Physics × 4
- Superlattices and Microstructures × 2
- Physica B Condensed Matter × 2
- Semiconductor Science and Technology × 2
- Chinese Journal of Physics × 1
- Solid State Communications × 1
Publications par année
- 20241
- 20211
- 20203
- 20193
- 20183
- 20153
- 20141
- 20131
- 20121
- 20111
Collaborations
Établissements partenaires : University of Carthage · Centre National de la Recherche Scientifique · Institut National des Sciences Appliquées de Lyon · King Saud University · Military Academy, Tunisia
Pays des co-auteurs : France · Arabie saoudite
Co-auteurs
- H. Mâaref
- Larbi Sfaxi
- I. Jabbari
- Bouraoui Ilahi
- Lotfi Bouzaiene
- Ridha Ajjel
- Ridha Mghaieth
- Manel Souaf
- S. Ilahi
- F. Saidi
- N. Yacoubi
- Houcine Mejri
Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).
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