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Daniel Alquier

Affiliation : Université de Tours · Centre National de la Recherche Scientifique · GREMAN, Matériaux, Microélectronique, Acoustique, Nanotechnologies

4Publications (affiliation française)
296Publications au total
2521Citations
25Indice h

ORCID OpenAlex

Profil de recherche

Daniel Alquier compte 4 publications référencées (1996–2016). Ses travaux paraissent principalement dans « Ion Beam Modification of Materials », « Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms » et « Applied Physics Letters ». Son article le plus cité, « The effect of the boron doping level on the thermal behavior of end-of-range defects in silicon » (1997), a été cité 33 fois. Ses travaux sont cosignés avec au moins 12 chercheurs, notamment dans des établissements de Maroc.

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Domaines de recherche

Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Semiconductor materials and interfaces
GaN-based semiconductor devices and materials
Semiconductor materials and devices
Silicon and Solar Cell Technologies

Publications (4)

Two-dimensional dopant profiling of gallium nitride p–n junctions by scanning capacitance microscopy
2016 · Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms · cité 3 fois
The effect of the boron doping level on the thermal behavior of end-of-range defects in silicon
1997 · Applied Physics Letters · cité 33 fois
Correlation between End-Of-range defect densities and electrical properties of p+/n junctions formed by B implantation into Ge-preamorphised Si substrates
1996 · Ion Beam Modification of Materials
The effect of boron doping on the thermal behaviour of EOR defects in Silicon
1996 · Ion Beam Modification of Materials

Revues de publication

Ion Beam Modification of Materials × 2
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms × 1
Applied Physics Letters × 1

Publications par année

20161
19971
19962

Collaborations

Établissements partenaires : Centre d’Élaboration de Matériaux et d’Études Structurales · Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes · STMicroelectronics (France) · Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications · Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Pays des co-auteurs : Maroc

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).