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F. Pascal

Affiliation : Centre National de la Recherche Scientifique · Université de Montpellier · Institut d'Électronique et des Systèmes

  • 4Publications (affiliation française)
  • 140Publications au total
  • 1623Citations
  • 15Indice h

Profil de recherche

F. Pascal compte 4 publications référencées (2023–2026). Ses travaux paraissent principalement dans « Fluctuation and Noise Letters », « Microelectronics Reliability » et « HAL ». Son article le plus cité, « Effects of X-ray and Cobalt 60 irradiations on advanced Si/SiGe:C HBTs DC characteristics » (2023), a été cité 2 fois. 3 de ces publications datent des trois dernières années d’activité. Ses travaux sont cosignés avec au moins 11 chercheurs, notamment dans des établissements de Algérie.

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Domaines de recherche

  • Semiconductor materials and devices
  • Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
  • Semiconductor materials and interfaces
  • Radio Frequency Integrated Circuit Design
  • Advanced Semiconductor Detectors and Materials

Publications (4)

Revues de publication

  • Fluctuation and Noise Letters × 1
  • Microelectronics Reliability × 1
  • HAL × 1
  • European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems × 1

Publications par année

  • 20262
  • 20251
  • 20231

Collaborations

Établissements partenaires : STMicroelectronics (France) · Larbi Ben M'hidi University of Oum El Bouaghi

Pays des co-auteurs : Algérie

Co-auteurs

Données bibliographiques issues d’OpenAlex (base ouverte).

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